为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
室温多频段太赫兹探测器凭借其增强的探测概率、提高的校准能力、减少的驻波和散射影响以及通过图像融合技术可获得含有更多有效信息的成像等众多优势成为了研究焦点，进而显著提高太赫兹系统整体的传感和成像能力。我们当前基于标准CMOS工艺设计实现了两种类型的室温0.91/2.58/4.3THz三频段太赫兹热探测器，其中一种是由复合型、高吸收的三频段超材料吸收结构和高温度灵敏度的PTAT温度传感器组成，而另一种是加载多晶硅负载电阻的三频段环形天线结构耦合高温度灵敏度的PTAT温度传感器。目前提出的两种室温CMOS三频段太赫兹探测器均取得了较好的实验结果、可以通过调整吸收结构尺寸来扩展探测器的工作频率并且提出的单像素探测器均可扩展至大规模阵列，这些优势推动着太赫兹多频段探测器朝着室温、紧凑、高效、低成本和高产量的方向不断发展和完善。