为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
GaN HEMT由于其大的禁带宽度和高的电子饱和速度，在微波大功率方面表现出卓越的特性。GaN HEMT在微波大功率系统中可用于功率放大器和射频开关。用于功率放大器的GaN HEMT大信号模型研究较多，但是用于射频开关的大信号模型研究较少，两种模型有较大的不同，一个是工作在放大区，一个是工作在开启和截止区。另外结构也不同，一种是基于共源的结构，而另一种是基于共栅的结构；因此模型参数提取方法有较大的不同。当前射频开关一般都是基于共栅的等效电路模型，模型的提取分为寄生参数提和本征参数提取。本征参数是在去嵌入寄生参数以后，通过Y参数可以直接计算得到。寄生参数提取一般用三种方法：测试结构法、电磁仿真方法以及优化算法。测试结构法是通过设计特殊的测试结构直接提取，一般是把晶体管的有源区去掉，通过测试无源结构的S参数转化为Y参数，通过网络计算直接得到寄生参数，这种方法较为简洁直观，但需要设计很多特殊测试结构将器件的寄生参数分别提取。电磁仿真方法是用电磁场仿真的方法直接计算网络参数，但是电磁仿真有时很难精确的得到器件的纵向尺寸，比如栅形貌，会导致仿真出现偏差。另外一种就是优化算法，是根据测到器件的S参数，通过优化寄生参数，使得模型与实测进行匹配得到，这种方法较为快捷，但会出现多解，有时优化出来的结果会出现明显与实际物理参数不符的现象。测试结构法由于比较直接、简单且误差较小，被广泛应用。