为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
氮化镓晶体管因为其具有较大的禁带宽度和较高的电子饱和速度，特别适合制作高频率、高功率和高效率微波器件，在5G基站功放和雷达等领域具有不可替代的优势。器件模型是氮化镓功率放大器设计的基础，也是国际上研究的热点。显著的自热效应和陷阱效应是建模中的难题。本报告回顾了GaN射频晶体管常用的三种建模方法，并分析比较了各种建模方法的优缺点。重点介绍了当前主流的经验物理模型在解决器件自热、谐波和陷阱效应方面所做的工作及存在的问题，并就自热和陷阱效应问题的研究提出了一些新的设想。