为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
随着CMOS图像传感器阵列的增加，其像素阵列面积也逐渐增大，导致其非理想因素也会逐渐增强。可见光图像传感器芯片像素尺寸达到了37.632mm×21.168mm，X光图像传感器像素尺寸甚至已经达到了130mm×128mm，这会导致列总线寄生电阻很大。而正如在传统架构下，会有静态电流流过列总线寄生电阻，因此寄生电阻上会产生较大的电源压降，进而引起一系列新的问题。虽然有一些方法可以减轻该非理想因素的影响，但是都有着各种各样的缺点。在本文当中分析了超大阵列CMOS图像传感器条件下，列总线寄生电阻会引起非线性问题，并分析对图像质量的影响。在此基础上，本文通过改变电流源和读出电路的布局来实现降低寄生电阻的影响，有效的改善上述问题而不增加面积、功耗，这对后续的读出电路设计具有非常重要的指导意义。