为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
由于SiGe HBTs器件出众的电学特性，其在高频、低噪，高速以及微波射频集成电路中得到广泛的应用，并已成为当前空间微电子应用领域的研究热点。在先前的研究中，我们已经发现该器件在辐照环境下基区漏电流呈现增大的趋势。但到目前为止，研究人员对该器件在不同发射极指数下的辐照损伤特性并未进行深入研究。本次学术报告将介绍室温下发射极指数对SiGe HBTs辐照损伤的研究成果。