为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
二氧化钒是一种过渡金属氧化物半导体材料，其在热驱动下具有半导体-金属相变特性，低温下，二氧化钒是具有单斜金红石结构的半导体相；高温时变为具有四方金红石结构的金属相，相变前后，红外光区域光学透过率发生可逆性突变。由于相变前后光、电性能有较大的变化，这使其在智能窗等领域有非常好的应用前景。金属快速退火氧化是制备二氧化钒的常用手段，但利用该方法制备得到的二氧化钒晶粒尺寸较小，影响了二氧化钒薄膜的相变性能，本报告主要汇报了利用常规退火对二氧化钒晶粒尺寸和相变性能的改善。
未进行常规退火处理的二氧化钒薄膜的相变幅度约为90倍，处理后的二氧化钒薄膜的相变幅度最大可达到1694倍。对样品测试表征后发现，常规退火处理前后，二氧化钒薄膜中V4+的含量变化较小，但晶粒尺寸发生较大改变。大尺寸晶粒有利于提高半导体态的电阻，降低金属态电阻，因此增大晶粒尺寸能够大幅度提高二氧化钒薄膜的相变幅度。