研究生学术报告预告登记（开题、中期、答辩）

       为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。

报告人: 韦晓莹
学号: 1011204012
学院: 电子信息工程学院
报告类型: 第一次学术报告
日期: 2012年05月18日
时间: 01:30
地点: 26楼D区四楼会议室
导师: 胡明
题目: 基于氧化钒薄膜阻变特性的研究
内容提要: 根据ITRS发展规划，RRAM的发展趋势之一就是高密度基础上实现低功耗，也就是如何获得较低的Reset电压或Set电压，实现超快开关特性。氧化钒体系在热开关和光开关方面具有超快特性，主要依据氧化钒薄膜热致相变或光致相变引起的电学特性及光学特性的超快变化。基于氧化钒的超快开关特性，考虑RRAM的应用，主要开展氧化钒电致阻变特性研究。构建Cu/VOx/Cu三明治结构，研究外加电压对薄膜开（低阻态）关（高阻态）特性的影响，结合XRD、I-V特性及CAFM进一步探讨氧化钒体系阻变的导电机制。

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登记人: 韦晓莹
登记时间: 2012年05月17日 星期四 17:11
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