为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
原子层沉积（atomic layer deposition, ALD）是一种精密的薄膜生长技术，来源于传统的化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）。与CVD不同的是，ALD是将反应前驱体以脉冲的方式交替通入反应室进行反应。原子层沉积是严格的表面自限性生长机制，由原子层沉积生长的薄膜能够完全复制基底的形貌，因此无论多复杂的纳米结构都可以被ALD薄膜均匀共形覆盖，形成可控的界面。ALD可以生长出厚度精确可控、均匀性与共形性好、无针孔的高密度薄膜，且反应温度可以控制在500℃以下。运用ALD可以实现薄膜的均匀掺杂与可控梯度掺杂。将ALD与传统的纳米材料制备技术结合，可以制备出高性能的光电催化电极材料。利用原子层沉积的单原子层、表面自限性生长的特点，实现均相掺杂和可控梯度掺杂，并对TiO2的纳米棒阵列实现掺杂薄膜的共形覆盖。