为加强研究生学术交流活动，推进学术创新，特开通“研究生学术报告预告区”。我校研究生和教师可以在预告区及时发布和了解有关研究生学术报告的信息，届时参加。也可就某学术报告展开专题讨论与交流。
射频开关器件是收发系统中重要的器件，双栅场效应晶体管因为其利用较小的芯片尺寸就可以实现更高的隔离度和较小的插损而受到了广泛的重视。大多数开关电路都是基于HEMT小信号模型来设计的，大信号模型报道的较少，而且常规HEMT器件模型都是基于共源结构的，而开关型HEMT是共栅结构，具有特殊的建模要求。开关器件的非线性特性对大功率开关设计也非常必要，因为非线性模型可以预测开关在高功率应用条件下的功率处理能力和谐波特性。相比于单栅器件，双栅开关HEMT具有芯片面积小，开态插入损耗小和宽带特性好等优点。本研究提出一种新的大信号电流模型，可以适应较宽的工作区域，特别是深截止区域和高栅源电压区域。实验表明，该双栅大信号模型能较好地预测开关的插入损耗、隔离度、功率处理能力，对射频开关尤其是大信号特性的设计具有重要意义。